Naučnici otkrili mogućnost čuvanja podataka na manje od jednog kvadratnog nanometra

Međunarodni naučni tim predvođen istraživačima sa Univerziteta Vašington u Sent Luisu otkrio je da se električna svojstva određenih oksidnih materijala mogu precizno kontrolisati na atomskom nivou. Ovo otkriće otvara mogućnost razvoja novih memorijskih komponenti koje zadovoljavaju sve veće zahteve savremenih sistema za veštačku inteligenciju u pogledu kapaciteta i energetske efikasnosti, zaobilazeći ograničenja klasičnog smanjivanja tranzistora.

U središtu istraživanja je fenomen feroelektričnosti, odnosno sposobnost materijala da zadrže električnu polarizaciju i bez prisustva spoljašnjeg električnog polja. Promenom smera polarizacije omogućeno je predstavljanje dva binarna stanja. Poseban fokus bio je na hafnijum-oksidu i cirkonijum-oksidu, materijalima koji zadržavaju feroelektrična svojstva čak i kada su njihovi slojevi izuzetno tanki, što inače predstavlja prepreku kod većine drugih sličnih jedinjenja.

Tokom eksperimenata, naučnici su zabeležili feroelektrične domene čija je površina manja od jednog kvadratnog nanometra. Iako kompletan funkcionalan memorijski čip sa toliko malim ćelijama još uvek nije napravljen, potvrđeno je da granice između ovih delova mogu da provode struju i reaguju na napon. Rezultati ovih studija, objavljeni u časopisima Advanced Materials i Science, predstavljaju značajan fizički temelj za buduću energetski efikasnu neisparljivu memoriju.