Научници открили могућност чувања података на мање од једног квадратног нанометра
Истраживачи Универзитета Вашингтон у Сент Луису открили су начин контроле оксидних материјала на атомском нивоу за израду меморијских чипова знатно веће густине.
Међународни научни тим предвођен истраживачима са Универзитета Вашингтон у Сент Луису открио је да се електрична својства одређених оксидних материјала могу прецизно контролисати на атомском нивоу. Ово откриће отвара могућност развоја нових меморијских компоненти које задовољавају све веће захтеве савремених система за вештачку интелигенцију у погледу капацитета и енергетске ефикасности, заобилазећи ограничења класичног смањивања транзистора.
У средишту истраживања је феномен фероелектричности, односно способност материјала да задрже електричну поларизацију и без присуства спољашњег електричног поља. Променом смера поларизације омогућено је представљање два binarna стања. Посебан фокус био је на хафнијум-оксиду и цирконијум-оксиду, материјалима који задржавају фероелектрична својства чак и када су њихови слојеви изузетно танки, што иначе представља препреку код већине других сличних једињења.
Током експеримената, научници су забележили фероелектричне домене чија је површина мања од једног квадратног нанометра. Иако комплетан функционалан меморијски чип са толико малим ћелијама још увек није направљен, потврђено је да границе између ових делова могу да проводе струју и реагују на напон. Резултати ових студија, објављени у часописима Advanced Materials и Science, представљају значајан физички темељ за будућу енергетски ефикасну неиспарљиву меморију.
Текст је припремљен уз помоћ вештачке интелигенције на основу изворног чланка. ← Назад на ИКТ Радар